本文主要講一下聚酰亞胺薄膜在半導體中的應(yīng)用：

　　聚酰亞胺材料可作為多層布線技術(shù)中多層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)的層間介電材料。多層布線技術(shù)是研制生產(chǎn)具有三維立體交叉結(jié)構(gòu)超大規(guī)模高密度高速度集成電路的關(guān)鍵技術(shù)。在芯片上采用多層金屬互聯(lián)可以顯著縮小器件間的連線密度，減少RC 時間常數(shù)和芯片占用面積，大幅度提高集成電路的速度、集成度和可靠性。多層金屬互聯(lián)工藝與目前常用的鋁基金屬互聯(lián)和氧化物介質(zhì)絕緣工藝不同，主要采用高性能薄膜材料為介電絕緣層，銅或鋁為互聯(lián)導線，利用銅的化學機械拋光。該技術(shù)的主要優(yōu)點在于利用了銅的高電導和抗電遷移性能、聚酰亞胺材料的低介電常數(shù)、平坦化性能以及良好的可制圖性能。

　　聚酰亞胺薄膜作為鈍化層和緩沖保護層在微電子工業(yè)上應(yīng)用非常廣泛。PI涂層可阻滯電子遷移、防止腐蝕。PI層保護的元器件具有很低的漏電流，可增加器件的機械性能，防止化學腐蝕，也可增加元器件的抗潮濕能力。PI薄膜具有緩沖功能，可降低由于熱應(yīng)力引起的電路崩裂斷路，減少元器件在后續(xù)的加工、封裝和后處理過程中的損傷。雖然聚酰亞胺涂層可避免塑封器件的崩裂，但效果與使用的聚酰亞胺材料的性能密切相關(guān)。